Інженери AMD винайшли надшвидкий транзистор
Опублiковано 3 квітня 2003 року
Компанія AMD відкрила завісу над своєю новою розробкою, що, на її думку, повинна
стати сьогоденням проривом у мікроелектроніці. Мова йде про транзистор нового
типу, заснованому на застосуванні ряду новітніх технологій, включаючи технологію
цілком збідненого кремнію на ізоляторі (fully depleted silicon-on-isolator). Такий транзистор
буде працювати на 30% швидше, ніж сучасні напівпровідники. Крім того, AMD представить
транзистор, виконаний на основі технології розтягнутого кремнію (strained silicon), що
обжене свої аналоги по продуктивності на 20-25%.
AMD заявляє, що застосування транзисторів, створених з використанням цих
технологій, дозволить підвищувати продуктивність чіпів без збільшення кількості
транзисторів на одному кристалі. Це, у свою чергу, буде дуже важливо уже в другій
половині нинішнього десятиліття, коли подальший ріст продуктивності за рахунок
росту кількості транзисторів стане економічно невигідним. Обидві свої розробки
компанія обіцяє детально представити в липні цього року на симпозіумі VLSI, що
відбудеться 11 червня цього року в Кіото. Будемо сподіватися, там AMD повідає нам,
коли з'являться і перші пристрої з їхнім застосуванням.
джерело : www.3DNews.ru
 |
